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    晶體生長

    感應加熱技術應用于晶體生長,與電阻絲或石墨體加熱法相比,具有一系列的特點和優勢:

    直接加熱坩堝,功率密度大,更容易獲得高溫;

    感應加熱沒有電連接點,保溫條件好,溫場均勻;

    起爐快,熱慣性小,系統響應速度高;

    高效節能;

    無易損件,運行成本更低。

    感應加熱用于晶體生長可適用于:碳化硅、藍寶石、激光晶體等各種晶體。

    坩堝類型可以是:石墨坩堝、依金坩堝、鎢鉬坩堝等、鉑金坩堝等等。

    晶體生長對溫場環境要求十分苛刻:溫度穩定,溫場均勻,因此對電源的輸出功率精度提出很高要求,很多電源不能滿足其精度要求,往往借助外部控制器例如歐陸表進行高精度閉環控制,這不僅增加了成本,而且由于電源的精度和穩定性問題,實際效果并不理想。

    Bamac開創了晶體生長感應加熱全新的控制法,Bamac的高精度型感應加熱電源是專為晶體生長應用設計開發,經十年的發展和不斷改進,尤其是在2013年控制策略升級為“電抗分析法”以后,高精度型電源更有了質的飛躍,成為全球業界性價比最高的晶體生長電源,除了眾多國內用戶,Bamac已經成為Agilent、Ulvac、京瓷、聯合晶體等國際巨頭的供應商。

    全數字式,DSP控制;

    全數字式,DSP控制;

    高精度、快速響應的恒功率控制模式;

    高度精細化的專用PID程序可適用于晶體生長的重量或速度閉環;

    給定和運行輸出功率的分辨率達1W,精度優于0.05%,溫度漂移低于0.05%。

    內部同時具有高精度電流、功率以及溫度閉環,不再需要歐陸表。

    雙電源供電通道,及其無擾動切換以及保護連鎖功能可保證長達數月的長晶過程不發生任何意外(即使380V工頻電網斷電)。

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